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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key FDU3N40TU-ND
Cantidad disponible 3.691
Disponible para envío inmediato

Stock en fábrica ?: 15.120
Fabricante

Número de pieza del fabricante

FDU3N40TU

Descripción MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
Descripción ampliada N-Channel 400V 2A (Tc) 30W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 6 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos FDD3N40, FDU3N40
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Fairchild/ON Semiconductor

Serie UniFET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 400 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 2 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10 V
Vgs(th) (máx.) en Id 5 V a 250 µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 6 nC a 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 225 pF a 25 V
Vgs (máx.) ±30 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 30 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 3.4 Ohm a 1 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor IPAK (TO-251)
Paquete / Caja (carcasa) TO-251-3, conductores cortos, IPak, TO-251AA
 
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  • EG1903-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 70

09:32:22 2/26/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 0,65000 0,65
10 0,57300 5,73
100 0,43950 43,95
500 0,34748 173,74
1.000 0,27799 277,99

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