Agregar a favoritos
Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key CMF10120D-ND
Cantidad disponible 438
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

CMF10120D

Descripción MOSFET N-CH 1200V 24A TO247
Descripción ampliada N-Channel 1200V (1.2kV) 24A (Tc) 134W (Tc) Through Hole TO-247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos CMF10120D
Notas de aplicación SiC MOSFET Isolated Gate Driver
Atributos del producto Seleccionar todos
Categories
Fabricante

Cree/Wolfspeed

Serie Z-FET™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología SiCFET (Silicon Carbide)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 1200 V (1.2 kV)
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 24 A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 20 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 500 µA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 47.1 nC a 20 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 928 pF a 800 V
Vgs (Max) +25 V, -5 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 134 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 220 mOhm a 10 A, 20 V
Temperatura de operación -55°C ~ 135°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
También le puede interesar
  • IXFH80N65X2 - IXYS | IXFH80N65X2-ND DigiKey Electronics
  • IXFH80N65X2
  • IXYS
  • MOSFET N-CH 650V 80A TO-247
  • Precio unitario 10,65000
  • IXFH80N65X2-ND
Recursos adicionales
Envase estándar ? 30

16:07:10 1/17/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 16,00000 16,00
100 15,38560 1.538,56
500 14,99688 7.498,44

Enviar una solicitud de cotización para cantidades superiores a las que se muestran en pantalla.

Enviar comentario