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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key C3M0120090D-ND
Cantidad disponible 1.786
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

C3M0120090D

Descripción 900V, 120 MOHM, G3 SIC MOSFET
Descripción ampliada N-Channel 900V 23A (Tc) 97W (Tc) Through Hole TO-247-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Documentos y medios
Hojas de datos C3M0120090D
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Cree/Wolfspeed

Serie C3M™
Empaquetado ? Tubo ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 900 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 23 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 15 V
Vgs(th) (máx.) en Id 3.5 V a 3 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 17.3 nC a 15 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 350 pF a 600 V
Vgs (máx.) +18 V, -8 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 97 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 155 mOhm a 15 A, 15 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 30

07:49:49 2/25/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 6,00000 6,00
100 5,76960 576,96
500 5,62494 2.812,47

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