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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key C2M0080120D-ND
Cantidad disponible 5.589
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

C2M0080120D

Descripción MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247
Descripción ampliada N-Channel 1200V (1.2kV) 36A (Tc) 192W (Tc) Through Hole TO-247-3
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos C2M0080120D
Notas de aplicación SiC MOSFET Isolated Gate Driver
Atributos del producto Seleccionar todos
Categorías
Fabricante

Cree/Wolfspeed

Serie C2M™
Empaquetado ? Granel ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET Canal N
Tecnología SiCFET (Carburo de silicio)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 1200 V (1.2 kV)
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 36 A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 20 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 5 mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 62 nC a 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 950 pF a 1000 V
Vgs (máx.) +25 V, -10 V
Característica de FET -
Disipación de potencia (máx.) 192 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 98 mOhm a 20 A, 20 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-3
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
 
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Envase estándar ? 30

13:04:33 1/23/2017

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 16,00000 16,00
100 15,38560 1.538,56
500 14,99688 7.498,44

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