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Información general del producto
Número de pieza de Digi-Key C2M0080120D-ND
Cantidad disponible 6.267
Disponible para envío inmediato
Fabricante

Número de pieza del fabricante

C2M0080120D

Descripción MOSFET N-CH 1200V 31.6A TO247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS Sin plomo / Cumple con RoHS
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (ilimitado)
Plazo estándar del fabricante 8 semanas
Documentos y medios
Hojas de datos C2M0080120D
Notas de aplicación SiC MOSFET Isolated Gate Driver
Atributos del producto Seleccionar todos
Categoría

Productos semiconductores discretos

Familia

Transistores - FET, MOSFET - Simple

Fabricante

Cree/Wolfspeed

Serie C2M™
Empaquetado ? Granel ?
Estado de la pieza Activo
Tipo FET MOSFET canal N, óxido metálico
Característica de FET Carburo de silicio (SiC)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 1200 V (1.2 kV)
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 36 A (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 98 mOhm a 20 A, 20 V
Vgs(th) (máx.) en Id 4 V a 5 mA
Carga de compuerta (Qg) según Vgs 62 nC a 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) a Vds 950 pF a 1000 V
Potencia máxima 192 W
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-3
 
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Recursos adicionales
Envase estándar ? 30

22:45:03 12/7/2016

Precio y compra
 

Cantidad
Todos los precios están en EUR.
Escala de precios Precio unitario Precio total
1 15,72000 15,72
100 15,11790 1.511,79
500 14,73594 7.367,97

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